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半导体IGBT元器件电参数测试分析实验室
日期:2024-04-23 15:17
 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统
大功率(IV 可扩展至 4500A , 6000V)
自动化程度高(按照操作人员设定的程序自动工作)
计算机记录测试结果,测试结果可转化文本或 EXECL 格式存储
采用品牌工控机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点
测试方法灵活(可完美测试器件以及单个和多单元的模块测试)
安全稳定(PLC 对设备的工作状态进行全程实时监测并与硬件进行互锁)
测试范围
EN-3020C 系统是专为测试 IGBT 而设计。能够真实准确测试出 IGBT 的各种静态参数:其
测试范围如下:
1)栅极-发射极漏电流测试 V GES 、I GES
2)栅极-发射极阈值电压测试 Vge(th)
3)集电极-发射极电压测试测试 V CES 、I CES
4)集电极-发射极饱和电压测试测试 Vge(sat)、I C
5)二极管压降测试测试 V F 、I F
6)二极管反向可恢复直流电压测试 V R 、I R

品名:半导体IGBT元器件电参数测试分析实验室
价格:议价
发货:3天内
联系方式
公司:西安长禾半导体技术有限公司
姓名:蒲经理(先生)
电话:81153217
手机:17792574070
地址:陕西省西安市高新区锦业路69号
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