| 集射间反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1 | 只测： -3.5kV～3.5kV | |
| 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 | 只测： -3.5kV～3.5kV | ||
| 2 | 通态电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3405.1 | 只测： 0～1500A |
| 3 | 通态电阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 | 只测： 0～10kΩ |
品名： MOS模块功率循环电子元器件测试
价格：议价
发货：3天内
