| 二极管反向恢复时间 | 半导体器件 分立器件 第2部分：整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.6 | 只测： 5V～3.3kV | |
| 11 | 单脉冲雪崩能量 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 | 只测： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A |
| 12 | 栅极串联等效电阻 | 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) | 只测： 0.1Ω～50Ω |
| 13 | 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3103 | 只测： Ph：0.1W～250W |
| 16 | 输入电容 | 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.6 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz |
| 17 | 输出电容 | 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.7 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz |
| 18 | 反向传输电容 | 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.8 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz |
品名： 整流桥浪涌电流电子元器件测试
价格：议价
发货：3天内
