栅极电荷

MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件

检测大电压：1200V 检测大电流：200A

美军标，国标，IEC等

栅极电荷

IGBT等模块产品

检测大电压：2700V 检测大电流：4000A

国标，IEC

短路耐量能力

MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件

检测大电压：1200V 检测大电流：1000A

美军标，国标，IEC等

短路耐量能力

IGBT等模块产品

检测大电压：2700V 检测大电流：10000A

国标，IEC

结电容

MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件

检测大电压：3000V

IEC

参数曲线扫描

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线

检测大电压：3000V 检测大电流：1500A 温度：-70°C180°C

美军标，IEC等