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MOSFET雪崩能力电子元器件测试
日期:2024-03-20 10:23
 
栅极漏电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 只测: -100mA~101mA
6 体二极管压降 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 只测: 0A~1500A
7 跨导 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 只测: 1ms~1000s
8 开关时间 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2 只测: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A
9 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472

品名: MOSFET雪崩能力电子元器件测试
价格:议价
发货:3天内
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公司:西安长禾半导体技术有限公司
姓名:蒲经理(先生)
电话:81153217
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