栅极漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 | 只测: -100mA~101mA | |
6 | 体二极管压降 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 | 只测: 0A~1500A |
7 | 跨导 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 | 只测: 1ms~1000s |
8 | 开关时间 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2 | 只测: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A |
9 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472 |
品名: MOSFET雪崩能力电子元器件测试
价格:议价
发货:3天内