| 集射极反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3011.2 | 只测： -3.5kV～3.5kV | |
| 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3011 | 只测： -3.5kV～3.5kV | ||
| 7 | 集基极反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3001.1 | 只测： -3.5kV～3.5kV |
| 8 | 射基极反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3026.1 | 只测： -3.5kV～3.5kV |
| 9 | 基射极电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3066.1 | 只测： 0V～1250A |
品名： 晶闸管模块功率循环电子元器件测试
价格：议价
发货：3天内
