| 5 | 栅极漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 | 只测： 0～100mA |
| 6 | 跨导 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 | 只测： 1ms～1000s |
| 7 | 开关时间&损耗 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3477.1 | 只测： VD：5V～3.3kV， ID：0.5A～1500A |
| 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.11,6.3.12 | 只测： 5V～3.3kV | ||
| 8 | 短路耐受时间 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3479 | 只测： ISC：10A～5000A ， TSC：1us～50us |
| 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.6 | 只测： 5V～3.3kV | ||
| 9 | 栅极电荷 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 |
品名： IGBT模块功率循环电子元器件测试
价格：议价
发货：3天内
