设计的VSB3200S作为一种高电压肖特基整流器沟MOS屏障用于高频开关电源的整流器电源供应器、自主、直流/直流转换器二极管或极性保护的应用程序。

它有六个特征。(1)战壕MOS肖特基技术。(2)低电压下降,提出了低功率损失。(3)高效率的工作。(4)275°C的焊料浸*多10个s,每JESD 22-B106。 (5)2002/95符合RoHS指令,按照/ EC 96 / EC曰。(6)按IEC(国际电工委员会)61249-2-21无卤的定义。这些都是其主要特征。

一些绝对*大额定值订立分成几个分如下。(1)它的*大峰值反向电压会重复200V的。(2)它的*大直流电流会被3.0A向前。(3)目前8.3ms顶峰向前涌单半正弦波叠加在额定载荷会菲薄工资而。(4)它的电压变化速率(额定Vr)会10000V /美国。(5)其操作交界处,储存温度范围从- 40°C将至150°C。应该指出的是,强调以上所列绝对*大额定值可能会引起永久性的损坏设备。

也有一些电学性质的结论与建议。(1)它会打字200V击穿电压。(2)它的instantansour正向电压会打字和麦克斯1.4V 0.98V 3.0A在如果= = 25°C,助教,并将0.64V和麦克斯0.72V打字,Ta在如果= = 125°3.0A C。 (3)它1.3uA每二极管反向电流和麦克斯50uA打字,Ta在Vr = = 25°200V 0.98mA C和会打字和麦克斯7mA在Vr = = 125°200V,助教C。(4)其典型juction 170pF电容会打字。 (5)其典型热阻64°C将/ W为交叉口周围。等等。目前我们还没有得到如此多的信息我们会对这个IC和努力去得到多一点的相关资讯。如果你有任何意见或建议,或想知道更多的信息,请访问我们的网站与我们联系详情。谢谢你!